Компания Cree - мировой лидер в производстве монокристаллов из карбида кремния. По многим параметрам карбид кремния значительно превосходит полупроводниковые материалы на основе Si и GaAs, что делает его незаменимым при производстве мощных полупроводниковых приборов.

Обладая самой высокой пробивной напряженностью электрического поля, теплопроводностью и подвижностью электронов, карбид кремния позволяет достичь наивысшей плотности мощности на единицу площади кристалла в полупроводниковых приборах. В отличие от Si и GaAs, усилительные SiC транзисторы работают при более высоких питающих напряжениях и обеспечивают более высокие входной и выходной импедансы, что упрощает процесс их согласования. Усилители на базе таких транзисторов имеют низкие потери, являются более широкополосными и менее чувствительны к разбросам параметров как самих транзисторов, так и цепей согласования.