Уникальные высокотемпературные радиационностойкие SiC СВЧ-транзисторы:

- Рекордная плотность мощности СВЧ на кристалле
- Сверхширокая полоса частот усиления: DC... 2,7 ГГц
- Рабочая температура кристалла +255°C!
- Высокое напряжение питания 48В упрощает цепи согласования
- Выходная мощность 10Вт (CRF24010) и 60Вт (CRF24060)
- Высокая эффективность: КПД свыше 45%
- Высокое усиление - более 13дБ
- Наработка на отказ (MTTF): 2,2 млн. часов при +225°C и 60 млн. часов при +175°C!

Информация для заказа:

CRF24010D
10 Вт, 0...2.7 ГГц, 28...48 В бескорпусной SiC СВЧ MESFET-транзистор
Спецификация

CRF24010F
10 Вт, 0...2.7 ГГЦ, 28...48 В SiC СВЧ MESFET-транзистор
Спецификация

CRF24060D
60 Вт, 0...2.7 ГГц, 28...48 В бескорпусной SiC СВЧ MESFET-транзистор
Спецификация

CRF24060F
60 Вт, 0...2.7 ГГц, 28...48 В SiC СВЧ MESFET-транзистор
Спецификация